离子蚀刻机离子束刻蚀机 20IBE-C

簡介

1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

洽詢了解

技术规格

上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 20 IBE-C, 适用于中等规模的实验室研究, 满足3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蚀. 采用自研公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%. 离子束刻蚀机 20 IBE-C 可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 20 IBE-C 基本参数

型号	20 IBE-C	φ4 inch X 6片	可选
应用	中等规模的实验室研发
内置	考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片(可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O₂, N₂
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子束刻蚀机 20 IBE-C 组成

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

离子束刻蚀机推荐刻蚀应用

类别	器件	刻蚀材料
磁性器件	自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
传感器 MEMS	铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射频器件	射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光电子	激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

下載完整資料

各式配置

下載完整資料

其他

下載完整資料

应用案例

上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用