离子蚀刻机离子束刻蚀机 10 IBE

簡介

基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根据器件大小定制载台)
均匀性: ≤±5%
适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀
可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

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技术规格

上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 10 IBE, 适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀. 离子束刻蚀机 10 IBE 可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 10 IBE 基本参数

型号	10 IBE	可选
应用	实验室研发,占地面积小
内置	考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O₂, N₂
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子蚀刻机 10IBE 组成：

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

上海伯东离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!